رز سانگ

اس اس دی ها باعث بهبود عملکرد کامپیوتر های قدیمی می شوند و پی سی های جدید تر را به ماشین های سریع تبدیل می کنند . ولی وقتی شما یکی از انها را می خرید ، با یک سری اصطلاحات عجیب و غریب نظیر SLC، SATA ، NVMe و M.2 مواجه می شوید . همه این اصطلاحات یه چه معنی هستند ؟

اس اس دی های اخیر از وسیله ذخیره ساز فلش NAND استفاده می کنند که اجزای تشکیل دهنده انها را سلول حافظه می نتمند . اینها یک سری واحد های پایه هستند که داده از درون انها در اس اس دی رایت شده است . هر سلول حافظه یک مقدار بیت را می پذیرد که در وسیله ذخیره ساز به صورت یک یا صفر ثبت می گردند .

اس اس دی های SLC  

مهم ترین نوع اس اس دی از جنس SLC است . SLC ها یک بیت در هر سلول حافظه را می پذیرند . این مقدار زیاد نیست ولی به طور کم و بیش  مزیت هایی داشته است . اولا ، SLC ها را سریع ترین نوع اس اس دی می نامند . همچنین این درایو ها پرداوم تر هستند و کمتر مستعد خطا می باشند از اینرو مطمئن تر از اس اس دی های دیگر به حساب می آیند .

SLC ها در محیط های اینترپرایز که در آنجا اتلاف داده با تحمل کمتری همراه است شناخته شده هستند و دوام پذیری یک موضوع کلیدی است . SLC ها معمولا گران تر هستند و به طور معمول در دسترس مصرف کنندگان نیستند . برای مثال ، من اس اس دی SLC اینترپرایز 128 گیگا بیتی را در سایت امازون یافته ام که از نظر هزینه همانند اس اس دی مصرف کننده یک ترابیتی با TLC NAND می باشد .

اگر شما اس اس دی SLC مصرف کننده را مشاهده کردید ، احتمالا دارای نوع متفاوت NAND و حافظه نهان SLC برای بهبود عملکرد بوده است .

اس اس دی های MLC ( سلول سطح چند تایی )

اس اس دی MLC بطور ویژه دقیق نیست . انها تنها دو بیت در هر سلول را ذخیره می کنند که به طور واقعی چند تایی نیست ولی بعضی مواقع الگو های نامگذاری فناوری همیشه مترقی نیستند .

MLC ها کمی کند تر از SLC ها هستند چون زمان بیشتری را برای رایت دو بیت درون سلول بجای یک بیت صرف می کنند . همچنین انها در زمینه دوام و قابلیت اطمینان  یک ضربه گیر است چون داده بیشتر  با SLC بر روی NAND رایت شده است .

معهذا ، MLC ها از نوع اس اس دی های سخت هستند . ظرفیت های این اس اس دی ها به اندازه دیگر انواع اس اس دی ها نیستند ولی شما می توانید اس اس دی یک ترابیتی MLC را خارج از انجا بیابید .

اس اس دی های TLC ( سلول سه لایه )

همانطور که از نام اش پیداست ، اس اس دی های TLC حدود سه بیت در هر سلول رایت می کنند .  TLC ها در این رایت از نوع اس اس دی های بسیار متداول هستند .

این اس اس دی ها ظرفیت بیشتر را نسبت به درایو های SLC و MLC در درون پکیج های کوچک تر جاگذاری می کنند ولی سرعت نسبی ، قابلیت اطمینان و دوام را قربانی می کنند . آن بدان معنی نیست که درایو های TLC بد هستند . در واقع ، این اس ای دی ها در حال حاضر بهترین چیز برای شما هستند . اجازه ندهید ایده دوام کمتر باعث ناامیدی شود چون اس اس دی های TLC برای چند سال دوام می اورند .

ترابیت های رایت شده (TBW)

معمولا ، دوام اس اس دی به صورت TBW ( ترابیت رایت شده ) بیان می شود . این علامت معادل تعداد ترابیت هایی است که می توانند قبل از از کارافتادن اش در درایو رایت شوند .

مدل 500 گیگا بیتی 860 EVO سامسونگ دارای برآورد ترابیت های رایت شده 600 می باشد ؛ مدل یک ترابیتی دارای 1200 ترابیت رایت شده می باشد . آن کل داده است از اینرو درایوی همانند این مدل باید چند سال کار کند . همچنین  ترابیت های رایت شده از برآورد های سطح ایمن برخوردارند ؛ اس اس دی ها به طور معمول فراتر از این محدودیت ها هستند .

اس اس دی های QLC (سلول سطح چهارتایی )

درایو های QLC می توانند چهار بیت را در هر سلول رایت کنند . آیا شما الگویی را در این نقطه حس می کنید ؟  QLC NAND می تواند داده بسیار بیشتری را نسبت به انواع دیگر جاگذاری نماید ولی درایو های QLC در این لحظه در زمینه عملکرد در سطح بالایی است . این بخصوص زمانی صحیح است که حافظه نهان در طول انتقال های فایل های بزرگ اجراء می گردد . این ممکن است یک مشکل کوتاه مدت باشد چون تولید کنندگان تلاش می کنند تا QLC ها را بهینه نمایند .

همچنین دوام نیز یک مشکل محسوب می گردد . درایو P1 QLC NVMe کروشیال تنها 100 ترابیت رایت شده در مدل 500 گیگا بیت دارد و این مقدار در دو مدل یک ترابیتی تنها 200 ترابیت رایت شده است . این مقدار تا حدی کمتر از TLC است ولی هنوز برای کابرد خانگی کافی است .

اس اس دی های PLC (سطح سلول پنج تایی )

اس اس دی های PLC که می توانند 5 بیت در هر سلول رایت نمایند ، هنوز برای مصرف کنندگان در دسترس قرار نگرفته اند  ولی در حال عرضه به بازار هستند . درایو های PLC توشیبا در اواخر ماه آگوست 2019 و اینتل یک ماه بعد معرفی شده اند . درایو های PLC باید از توانمندی برخوردار باشند تا ظرفیت های بیشتر را درون اس اس دی ها قرار دهند . از اینرو ، این درایو ها دارای مشکلات یکسان همانند TLC ها و QLC ها در زمینه دوام و عملکرد هستند .

ما به شما توصیه می کنیم تا زمانی منتظر بمانید که این بازنگری ها قبل از خرید اس اس دی اولیه PLC عرضه شوند . همچنین براورد های TBW  را بررسی کنید تا شاهد باشید چه مدت دوام می اورند و چگونه TBW در شرایط واقعی رکورد می زند . برای مثال ، درایو QLC بالا دارای براورد TBW پایین تر می باشد ولی در حدود 54 گیگا بیت در روز در یک دوره پنج ساله به نتیجه مطلوب می رسد .

دیگر اصطلاحات SSD

انواع فلش NAND اصلی وجود دارند ولی در اینجا یک سری اصطلاحات کمی وجود دارند که می توانند به شما کمک کنند :

• NAND سه بعدی : تولید کنندگان NAND تلاش کرده اند تا سلول های حافظه NAND را در سطح مسطح در کنار هم قرار دهند تا درایو ها کوچک تر شوند و ظرفیت افزایش یابد . این تا یک نقطه ای خوب از آب در می آید ولی فلش مموری در زمانی که سلول ها بسیار نزدیک هم قرار می گیرند از قابلیت اطمینان خوبی برخوردار نیست . از اینرو آنها سلول های حافظه را در بالای همدیگر دسته می کنند تا ظرفیت افزایش یابد . این حالت را معمولا NAND سه بعدی یا بعضی مواقع NAND عمودی نامیده اند .
• فناوری تسطیح فرسودگی : سلول های حافظه اس اس دی در سریع ترین زمان ممکن که مورد استفاده قرار می گیرند به تدریج فرسوده می شوند . تولید کنندگان برای کمک به حفظ طولانی تر شکل سلول ها یک فناوری فرسایش را در نظر می گیرند که تلاش می کند تا داده را بر روی سلول های حافظه تا حد ممکن به طور برابر رایت کند . این فناوری بجای رایت بلوک معین در یک بخش از درایو در کل زمان ها در نهایت داده را توزیع می کند از اینرو سلول ها در نرخ نسبتا یکسان پرمی شوند .
• حافظه نهان : هر اس اس دی دارای یک حافظه نهان می باشد که داده در این داده نهان به طور مختصر قبل از رایت شدن در درایو ذخیره می شود . این حافظه های نهان برای تقویت عملکرد اس اس دی حیاتی هستند . معمولا آنها از NAND SLC یا MLC  تشکیل می شوند . وقتی حافظه نهان پر شود ، عملکرد به طور چشمگیری افت می کند – این وضعیت بویژه برای یک سری درایو های TLC و اکثر درایو های QLC صدق می کند .
• SATA III : این متداول ترین درایو سخت و واسط اس اس دی در دسترس برای پی سی ها است . واسط در این مفهوم فقط بدان معنی است که چگونه درایو به مادربورد وصل می شود . SATA III دارای حداکثر خروجی 600 مگا بیت بر ثانیه بوده است .
• NVMe : این واسط می تواند اس اس دی را به مادربورد وصل نماید . درایو های مصرف کننده فعلی NVMe در حدود سه برابر سریع تر از SATA III هستند .
• 2 : این یک مولفه شکل ( اندازه فیزیکی ، شکل و طراحی ) برای درایو های NVMe می باشد . آنها درون شکاف های ویژه در اکثر مادربورد های مدرن جاگذاری می شوند .